Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFB4229PBF
- irfb4229pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4560pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4228PBF
- irfb4228pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4530pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4227PBF
- irfb4227pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4127PBF
- irfb4127pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5380pF @ 50V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4212PBF
- irfb4212pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 50V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4215PBF
- irfb4215pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4215
- irfb4215
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB41N15DPBF
- irfb41n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB41N15D
- irfb41n15d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4115PBF
- irfb4115pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4115GPBF
- irfb4115gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4110PBF
- irfb4110pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9620
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4110GPBF
- irfb4110gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9620
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4020PBF
- irfb4020pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 50V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB38N20DPBF
- irfb38n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4019PBF
- irfb4019pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 50V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3806PBF
- irfb3806pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3607PBF
- irfb3607pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3070pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3507
- irfb3507
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3607GPBF
- irfb3607gpbf
- Internation.Rectifer
- TO220AB/MOSFET, 75V, 80A, 9.0 MOHM, 56 NC QG,HALOGEN-FREE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК