Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFB33N15D
- irfb33n15d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3507PBF
- irfb3507pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB33N15DPBF
- irfb33n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3307ZPBF
- irfb3307zpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3307ZGPBF
- irfb3307zgpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3307PBF
- irfb3307pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3307
- irfb3307
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3207PBF
- irfb3207pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3306PBF
- irfb3306pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3306GPBF
- irfb3306gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3207ZPBF
- irfb3207zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6920pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3206PBF
- irfb3206pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB31N20DPBF
- irfb31n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3004PBF
- irfb3004pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3006GPBF
- irfb3006gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 270A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8970p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB23N20D
- irfb23n20d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3077PBF
- irfb3077pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3004GPBF
- irfb3004gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB3006PBF
- irfb3006pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8970p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB260NPBF
- irfb260npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК