Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IPU135N08N3 G

IPU135N08N3 G

  • ipu135n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU135N03L G

IPU135N03L G

  • ipu135n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU10N03LA G

IPU10N03LA G

  • ipu10n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU10N03LA

IPU10N03LA

  • ipu10n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU103N08N3 G

IPU103N08N3 G

  • ipu103n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU09N03LA G

IPU09N03LA G

  • ipu09n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1642pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU105N03L G

IPU105N03L G

  • ipu105n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 35A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU090N03L G

IPU090N03L G

  • ipu090n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU09N03LB G

IPU09N03LB G

  • ipu09n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU07N03LA

IPU07N03LA

  • ipu07n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU075N03L G

IPU075N03L G

  • ipu075n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU06N03LB G

IPU06N03LB G

  • ipu06n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU05N03LA G

IPU05N03LA G

  • ipu05n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3110pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU06N03LA G

IPU06N03LA G

  • ipu06n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU060N03L G

IPU060N03L G

  • ipu060n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU04N03LA

IPU04N03LA

  • ipu04n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5199pF @ 15V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU05N03LA

IPU05N03LA

  • ipu05n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3110pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU050N03L G

IPU050N03L G

  • ipu050n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 15V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU04N03LB G

IPU04N03LB G

  • ipu04n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU04N03LA G

IPU04N03LA G

  • ipu04n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5199pF @ 15V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь