Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IPU039N03L G

IPU039N03L G

  • ipu039n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPSH6N03LB G

IPSH6N03LB G

  • ipsh6n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPSH6N03LA G

IPSH6N03LA G

  • ipsh6n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2390pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPSH5N03LA G

IPSH5N03LA G

  • ipsh5n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPSH4N03LA G

IPSH4N03LA G

  • ipsh4n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 90A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS50R520CP

IPS50R520CP

  • ips50r520cp
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS20N03L G

IPS20N03L G

  • ips20n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 30A IPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS13N03LA G

IPS13N03LA G

  • ips13n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS12CN10L G

IPS12CN10L G

  • ips12cn10l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 69A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS135N03L G

IPS135N03L G

  • ips135n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS110N12N3 G

IPS110N12N3 G

  • ips110n12n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS10N03LA G

IPS10N03LA G

  • ips10n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS105N03L G

IPS105N03L G

  • ips105n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP80N06S3L-05

IPP80N06S3L-05

  • ipp80n06s3l.05
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 69A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13060pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP80N06S3-05

IPP80N06S3-05

  • ipp80n06s3.05
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 63A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10760pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP80N06S3L-06

IPP80N06S3L-06

  • ipp80n06s3l.06
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9417pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP80N06S3-07

IPP80N06S3-07

  • ipp80n06s3.07
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7768pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS09N03LB G

IPS09N03LB G

  • ips09n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS09N03LA G

IPS09N03LA G

  • ips09n03la.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 50A IPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1642pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPS090N03L G

IPS090N03L G

  • ips090n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь