Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPDH6N03LAG
- ipdh6n03lag
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2390pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPDH5N03LA G
- ipdh5n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPDH4N03LAG
- ipdh4n03lag
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90R1K2C3
- ipd90r1k2c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90P03P4L-04
- ipd90p03p4l.04
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90P03P4-04
- ipd90p03p4.04
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4L-06
- ipd90n06s4l.06
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4L-05
- ipd90n06s4l.05
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4-07
- ipd90n06s4.07
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4-05
- ipd90n06s4.05
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4L-03
- ipd90n06s4l.03
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N06S4-04
- ipd90n06s4.04
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N03S4L-03
- ipd90n03s4l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N04S3-H4
- ipd90n04s3.h4
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N04S3-04
- ipd90n04s3.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD90N03S4L-02
- ipd90n03s4l.02
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD800N06N G
- ipd800n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 370pF @ 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD80N04S3-06
- ipd80n04s3.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD80P03P4L-07
- ipd80p03p4l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD80N06S3-09
- ipd80n06s3.09
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК