Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPD70N10S3L-12
- ipd70n10s3l.12
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5550pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD70N10S3-12
- ipd70n10s3.12
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4355pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD70N04S3-07
- ipd70n04s3.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 82A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD70N03S4L-04
- ipd70n03s4l.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD640N06L G
- ipd640n06l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 18A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD64CN10N G
- ipd64cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 569pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R600CP
- ipd60r600cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.1A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R520CP
- ipd60r520cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R385CP
- ipd60r385cp
- Infineon
- MOSFET N-CHAN 600V TO-252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD5N03LAG
- ipd5n03lag
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R2K0C6
- ipd60r2k0c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD600N25N3 G
- ipd600n25n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD530N15N3 G
- ipd530n15n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50R520CP
- ipd50r520cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50R399CP
- ipd50r399cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 890pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50P03P4L-11
- ipd50p03p4l.11
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3770pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N06S4L-12
- ipd50n06s4l.12
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N10S3L-16
- ipd50n10s3l.16
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N06S4L-08
- ipd50n06s4l.08
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N06S4-09
- ipd50n06s4.09
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК