Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPD50N04S3-09
- ipd50n04s3.09
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N04S3-08
- ipd50n04s3.08
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD49CN10N G
- ipd49cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N03S2L-06
- ipd50n03s2l.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50N03S2-07
- ipd50n03s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD400N06N G
- ipd400n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 27A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD35N10S3L-26
- ipd35n10s3l.26
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD350N06L G
- ipd350n06l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 29A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 30V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD33CN10N G
- ipd33cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N06S4L-23
- ipd30n06s4l.23
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N10S3L-34
- ipd30n10s3l.34
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1976pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD320N20N3 G
- ipd320n20n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N08S2L-21
- ipd30n08s2l.21
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N08S2-22
- ipd30n08s2.22
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N03S2L-10
- ipd30n03s2l.10
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N03S4L-14
- ipd30n03s4l.14
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N03S2L-20
- ipd30n03s2l.20
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD30N03S2L-07
- ipd30n03s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD25N06S4L-30
- ipd25n06s4l.30
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD25CNE8N G
- ipd25cne8n.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК