Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPD25CN10N G
- ipd25cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD230N06N G
- ipd230n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD250N06N3 G
- ipd250n06n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD22N08S2L-50
- ipd22n08s2l.50
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD220N06L3 G
- ipd220n06l3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD20N03L
- ipd20n03l
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD170N04N G
- ipd170n04n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD16CN10N G
- ipd16cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 53A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD20N03L G
- ipd20n03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 695pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD200N15N3 G
- ipd200n15n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD16CNE8N G
- ipd16cne8n.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD15N06S2L-64
- ipd15n06s2l.64
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 354pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD160N04L G
- ipd160n04l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD135N08N3 G
- ipd135n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD144N06N G
- ipd144n06n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD13N03LA G
- ipd13n03la.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD12N03LB G
- ipd12n03lb.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD12CNE8N G
- ipd12cne8n.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD110N12N3 G
- ipd110n12n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD12CN10N G
- ipd12cn10n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК