Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IPB030N08N3 G

IPB030N08N3 G

  • ipb030n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8110pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB034N06L3 G

IPB034N06L3 G

  • ipb034n06l3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB034N03L G

IPB034N03L G

  • ipb034n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB025N10N3 G

IPB025N10N3 G

  • ipb025n10n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 206nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 148

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB025N08N3 G

IPB025N08N3 G

  • ipb025n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 206nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14200

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB023N04N G

IPB023N04N G

  • ipb023n04n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB022N04L G

IPB022N04L G

  • ipb022n04l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 166nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB021N06N3 G

IPB021N06N3 G

  • ipb021n06n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB020N04N G

IPB020N04N G

  • ipb020n04n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB017N06N3 G

IPB017N06N3 G

  • ipb017n06n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB019N06L3 G

IPB019N06L3 G

  • ipb019n06l3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 166nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G

  • ipb019n08n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB015N04N G

IPB015N04N G

  • ipb015n04n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB015N04L G

IPB015N04L G

  • ipb015n04l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 346nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB011N04L G

IPB011N04L G

  • ipb011n04l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 346nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB011N04N G

IPB011N04N G

  • ipb011n04n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB009N03L G

IPB009N03L G

  • ipb009n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 227nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPA90R800C3

IPA90R800C3

  • ipa90r800c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPA90R500C3

IPA90R500C3

  • ipa90r500c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPA90R1K2C3

IPA90R1K2C3

  • ipa90r1k2c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь