Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPA60R125C6
- ipa60r125c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R125CP
- ipa60r125cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R520CP
- ipa50r520cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 7.1A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R399CP
- ipa50r399cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 9A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 890pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R350CP
- ipa50r350cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R299CP
- ipa50r299cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R250CP
- ipa50r250cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 13A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1420pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R140CP
- ipa50r140cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2540pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA50R199CP
- ipa50r199cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA126N10N3 G
- ipa126n10n3.g
- Infineon
- TO220-3/OptiMOS 3 Power-Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA105N15N3 G
- ipa105n15n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA180N10N3 G
- ipa180n10n3.g
- Infineon
- TO220-3/OptiMOS 3 Power-Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA057N08N3 G
- ipa057n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA100N08N3 G
- ipa100n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA093N06N3 G
- ipa093n06n3.g
- Infineon
- TO220-3/N-KANAL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA075N15N3 G
- ipa075n15n3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA057N06N3 G
- ipa057n06n3.g
- Infineon
- TO220-3/N-KANAL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA037N08N3 G
- ipa037n08n3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA030N10N3 G
- ipa030n10n3.g
- Infineon
- TO220-3/N-KANAL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA045N10N3 G
- ipa045n10n3.g
- Infineon
- TO220-3/N-KANAL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК