Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IPA90R340C3
- ipa90r340c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 9.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA65R600C6
- ipa65r600c6
- Infineon
- TO220-3/MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA90R1K0C3
- ipa90r1k0c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA65R380C6
- ipa65r380c6
- Infineon
- TO220-3/MOSFET650V CoolMOS E6 Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R600C6
- ipa60r600c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R600CP
- ipa60r600cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.1A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R520CP
- ipa60r520cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R520C6
- ipa60r520c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R950C6
- ipa60r950c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R385CP
- ipa60r385cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R280C6
- ipa60r280c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R380C6
- ipa60r380c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R299CP
- ipa60r299cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R250CP
- ipa60r250cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R190E6
- ipa60r190e6
- Infineon
- PG-TO220-3COOL MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R190C6
- ipa60r190c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R199CP
- ipa60r199cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R160C6
- ipa60r160c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R165CP
- ipa60r165cp
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R099C6
- ipa60r099c6
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК