Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF8N60CFT

FQPF8N60CFT

  • fqpf8n60cft
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N40CF

FQPF6N40CF

  • fqpf6n40cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N50C

FQPF3N50C

  • fqpf3n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF11N50CF

FQPF11N50CF

  • fqpf11n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50CT

FQPF13N50CT

  • fqpf13n50ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF11N40T

FQPF11N40T

  • fqpf11n40t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N60CT

FQPF10N60CT

  • fqpf10n60ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N40CF

FQP6N40CF

  • fqp6n40cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP3N60C

FQP3N60C

  • fqp3n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP11N50CF

FQP11N50CF

  • fqp11n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

  • fqn1n60cbu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 150mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

  • fqn1n50cta
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 380mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI34P10TU

FQI34P10TU

  • fqi34p10tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2910p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N60CTM

FQD6N60CTM

  • fqd6n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25V · FET P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2P40TM

FQD2P40TM

  • fqd2p40tm
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

  • fqd3n50ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB8N60CFTM

FQB8N60CFTM

  • fqb8n60cftm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB3N60CTM

FQB3N60CTM

  • fqb3n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQA13N50CF

FQA13N50CF

  • fqa13n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDY301NZ

FDY301NZ

  • fdy301nz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь