Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDD6N20TM
- fdd6n20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8878
- fdb8878
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1235pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8876
- fdb8876
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDA62N28
- fda62n28
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 280V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4630pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDAF69N25
- fdaf69n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 34A TO-3PF Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4640pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDA79N15
- fda79n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDA59N25
- fda59n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 29.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF20N60TYDTU
- fcpf20n60tydtu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCA16N60_F109
- fca16n60.f109
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P Серия: SuperFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS70UM-2
- fs70um.2
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 100V 70A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS70SM-06
- fs70sm.06
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS30AS-2-T13#B00
- fs30as.2.t13.b00
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 100V 30A MP-3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU9N25TU
- fqu9n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU8P10TU
- fqu8p10tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU7P20TU
- fqu7p20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU7N20TU
- fqu7n20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU8N25TU
- fqu8n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU7P06TU
- fqu7p06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU6N50CTU
- fqu6n50ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU6P25TU
- fqu6p25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК