Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDY300NZ

FDY300NZ

  • fdy300nz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDY101PZ

FDY101PZ

  • fdy101pz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDY100PZ

FDY100PZ

  • fdy100pz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6N50TU

FDU6N50TU

  • fdu6n50tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 6A IPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS9412A

FDS9412A

  • fds9412a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 985pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS8690

FDS8690

  • fds8690
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS8670

FDS8670

  • fds8670
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4040pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6676AS

FDS6676AS

  • fds6676as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5692Z

FDS5692Z

  • fds5692z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1025pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5682

FDS5682

  • fds5682
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1650

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDPF55N06

FDPF55N06

  • fdpf55n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1510pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDPF44N25T

FDPF44N25T

  • fdpf44n25t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2870pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDPF20N50FT

FDPF20N50FT

  • fdpf20n50ft
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3390pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDP8878

FDP8878

  • fdp8878
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1235p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDP8876

FDP8876

  • fdp8876
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDP55N06

FDP55N06

  • fdp55n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1510pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDP20N50F

FDP20N50F

  • fdp20n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3390pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDP100N10

FDP100N10

  • fdp100n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDH633605

FDH633605

  • fdh633605
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH DO-35 FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: DO-35, DO-204AH, Axial

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDD8796

FDD8796

  • fdd8796
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь