Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQP6N70

FQP6N70

  • fqp6n70
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP70N10

FQP70N10

  • fqp70n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N90C

FQP6N90C

  • fqp6n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N60

FQP6N60

  • fqp6n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N50C

FQP6N50C

  • fqp6n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N25

FQP6N25

  • fqp6n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N15

FQP6N15

  • fqp6n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N50

FQP6N50

  • fqp6n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP65N06

FQP65N06

  • fqp65n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP630

FQP630

  • fqp630
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP630TSTU

FQP630TSTU

  • fqp630tstu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5P20

FQP5P20

  • fqp5p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N40C

FQP6N40C

  • fqp6n40c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5P10

FQP5P10

  • fqp5p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N90

FQP5N90

  • fqp5n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N50C

FQP5N50C

  • fqp5n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N80

FQP5N80

  • fqp5n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N60C

FQP5N60C

  • fqp5n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N30

FQP5N30

  • fqp5n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP5N20

FQP5N20

  • fqp5n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь