Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF10N60C

FQPF10N60C

  • fqpf10n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N60CF

FQPF10N60CF

  • fqpf10n60cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N60CYDTU

FQPF10N60CYDTU

  • fqpf10n60cydtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N20C

FQPF10N20C

  • fqpf10n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N20

FQPF10N20

  • fqpf10n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF10N50CF

FQPF10N50CF

  • fqpf10n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2096pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N50

FQP9N50

  • fqp9n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N50C

FQP9N50C

  • fqp9n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9P25

FQP9P25

  • fqp9p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N90C

FQP9N90C

  • fqp9n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N25CTSTU

FQP9N25CTSTU

  • fqp9n25ctstu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N30

FQP9N30

  • fqp9n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP90N10V2

FQP90N10V2

  • fqp90n10v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 90A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 191nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6150pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N25C

FQP9N25C

  • fqp9n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N15

FQP9N15

  • fqp9n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 9A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP8N90C

FQP8N90C

  • fqp8n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP8P10

FQP8P10

  • fqp8p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N08L

FQP9N08L

  • fqp9n08l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 4.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP9N08

FQP9N08

  • fqp9n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 4.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP90N08

FQP90N08

  • fqp90n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 71A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 35.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь