Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQP8N80C

FQP8N80C

  • fqp8n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP8N60C

FQP8N60C

  • fqp8n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP85N06

FQP85N06

  • fqp85n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 42.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7P06

FQP7P06

  • fqp7p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 7A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7P20

FQP7P20

  • fqp7p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N80

FQP7N80

  • fqp7n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N40

FQP7N40

  • fqp7n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 7A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N20L

FQP7N20L

  • fqp7n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N60

FQP7N60

  • fqp7n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.4A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N80C

FQP7N80C

  • fqp7n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N65C

FQP7N65C

  • fqp7n65c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 650V 7A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1245pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N20

FQP7N20

  • fqp7n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N10

FQP7N10

  • fqp7n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP7N10L

FQP7N10L

  • fqp7n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N90

FQP6N90

  • fqp6n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N60C

FQP6N60C

  • fqp6n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP70N08

FQP70N08

  • fqp70n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 70A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N80C

FQP6N80C

  • fqp6n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6N80

FQP6N80

  • fqp6n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQP6P25

FQP6P25

  • fqp6p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 6A TO-220 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь