Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

  • fqnl1n50bbu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 135mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 270mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

  • fqn1n60cta
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 150mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQL40N50

FQL40N50

  • fql40n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

  • fqn1n50cbu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 380mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

  • fqi9n50ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQL50N40

FQL50N40

  • fql50n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 50A TO-264 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N50TU

FQI9N50TU

  • fqi9n50tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N25CTU

FQI9N25CTU

  • fqi9n25ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQL40N50F

FQL40N50F

  • fql40n50f
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N15TU

FQI9N15TU

  • fqi9n15tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N08TU

FQI9N08TU

  • fqi9n08tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 4.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI7N10LTU

FQI7N10LTU

  • fqi7n10ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI7P06TU

FQI7P06TU

  • fqi7p06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI8N60CTU

FQI8N60CTU

  • fqi8n60ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI7N60TU

FQI7N60TU

  • fqi7n60tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI6N50TU

FQI6N50TU

  • fqi6n50tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI8P10TU

FQI8P10TU

  • fqi8p10tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI9N08LTU

FQI9N08LTU

  • fqi9n08ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 4.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI7N10TU

FQI7N10TU

  • fqi7n10tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI7N80TU

FQI7N80TU

  • fqi7n80tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь