Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQB8P10TM
- fqb8p10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB8N60CTM
- fqb8n60ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD11P06TM
- fqd11p06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD11P06TF
- fqd11p06tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB85N06TM_AM002
- fqb85n06tm.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 42.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB7P20TM
- fqb7p20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20TM
- fqd10n20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20TF
- fqd10n20tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20LTM
- fqd10n20ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB7N80TM_AM002
- fqb7n80tm.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20LTF
- fqd10n20ltf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20CTM
- fqd10n20ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD10N20CTF
- fqd10n20ctf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9P25TM
- fqb9p25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N50TM
- fqb9n50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N50CTM
- fqb9n50ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N50CFTM
- fqb9n50cftm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N25TM
- fqb9n25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N25CTM
- fqb9n25ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB9N15TM
- fqb9n15tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК