Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD20N06TF

FQD20N06TF

  • fqd20n06tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1P50TM

FQD1P50TM

  • fqd1p50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD20N06LETM

FQD20N06LETM

  • fqd20n06letm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 665pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1P50TF

FQD1P50TF

  • fqd1p50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N80TM

FQD1N80TM

  • fqd1n80tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N80TF

FQD1N80TF

  • fqd1n80tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N60TM

FQD1N60TM

  • fqd1n60tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N60TF

FQD1N60TF

  • fqd1n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N60CTM

FQD1N60CTM

  • fqd1n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N60CTF

FQD1N60CTF

  • fqd1n60ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N50TM

FQD1N50TM

  • fqd1n50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 550mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD1N50TF

FQD1N50TF

  • fqd1n50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 550mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD19N10TM

FQD19N10TM

  • fqd19n10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

  • fqd18n20v2tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 15A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

  • fqd19n10ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD19N10LTF

FQD19N10LTF

  • fqd19n10ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD19N10TF

FQD19N10TF

  • fqd19n10tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TF

  • fqd18n20v2tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 15A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD17N08LTF

FQD17N08LTF

  • fqd17n08ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6.45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD17N08LTM

FQD17N08LTM

  • fqd17n08ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6.45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь