Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD17P06TM

FQD17P06TM

  • fqd17p06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD17P06TF

FQD17P06TF

  • fqd17p06tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD16N25CTM

FQD16N25CTM

  • fqd16n25ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD16N15TM

FQD16N15TM

  • fqd16n15tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N10LTF

FQD13N10LTF

  • fqd13n10ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD16N15TF

FQD16N15TF

  • fqd16n15tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

  • fqd13n10ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD14N15TM

FQD14N15TM

  • fqd14n15tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 715pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N10TM

FQD13N10TM

  • fqd13n10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N10TF

FQD13N10TF

  • fqd13n10tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

  • fqd13n06ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N06TF

FQD13N06TF

  • fqd13n06tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N06TM

FQD13N06TM

  • fqd13n06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

  • fqd13n06ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12P10TF

FQD12P10TF

  • fqd12p10tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12P10TM

FQD12P10TM

  • fqd12p10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

  • fqd12n20ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12N20TM

FQD12N20TM

  • fqd12n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12N20TF

FQD12N20TF

  • fqd12n20tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

  • fqd12n20ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь