Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQB50N06TM
- fqb50n06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1540pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB55N06TM
- fqb55n06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB50N06LTM
- fqb50n06ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 26.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4P40TM
- fqb4p40tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4P25TM
- fqb4p25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N90TM
- fqb4n90tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N80TM
- fqb4n80tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N50TM
- fqb4n50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N25TM
- fqb4n25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N20TM
- fqb4n20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB4N20LTM
- fqb4n20ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB47P06TM_AM002
- fqb47p06tm.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB46N15TM_AM002
- fqb46n15tm.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB45N15V2TM
- fqb45n15v2tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3030pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB44N10TM
- fqb44n10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 21.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3P50TM
- fqb3p50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3N30TM
- fqb3n30tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3N80TM
- fqb3n80tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3N40TM
- fqb3n40tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3P20TM
- fqb3p20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК