Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQB25N33TM
- fqb25n33tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 330V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB24N08TM
- fqb24n08tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB22P10TM
- fqb22p10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB20N06TM
- fqb20n06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB20N06LTM
- fqb20n06ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB1P50TM
- fqb1p50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB1N60TM
- fqb1n60tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB19N20TM
- fqb19n20tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB19N20LTM
- fqb19n20ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB19N10TM
- fqb19n10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB19N20CTM
- fqb19n20ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB19N10LTM
- fqb19n10ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB17P10TM
- fqb17p10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB17P06TM
- fqb17p06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 8.5A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB17N08TM
- fqb17n08tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB17N08LTM
- fqb17n08ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB16N15TM
- fqb16n15tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB16N25TM
- fqb16n25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB15P12TM
- fqb15p12tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB16N25CTM
- fqb16n25ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК