Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQB3N90TM
- fqb3n90tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB3N25TM
- fqb3n25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB34P10TM
- fqb34p10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2910p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB33N10TM
- fqb33n10tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB34N20LTM
- fqb34n20ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB33N10LTM
- fqb33n10ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB32N12V2TM
- fqb32n12v2tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB30N06LTM
- fqb30n06ltm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB30N06TM
- fqb30n06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB32N20CTM
- fqb32n20ctm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2P40TM
- fqb2p40tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2N50TM
- fqb2n50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2NA90TM
- fqb2na90tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2N80TM
- fqb2n80tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2P25TM
- fqb2p25tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2N90TM
- fqb2n90tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2N60TM
- fqb2n60tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB2N30TM
- fqb2n30tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB27N25TM_AM002
- fqb27n25tm.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB27P06TM
- fqb27p06tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК