Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
J108,126
- j108.126
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 25V 80mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J108_D26Z
- j108.d26z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J107
- j107
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Кор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J106_D26Z
- j106.d26z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 6 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J105_D27Z
- j105.d27z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J105_D74Z
- j105.d74z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J106
- j106
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 6 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J105
- j105
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ594JBTF
- fjz594jbtf
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ594JTF
- fjz594jtf
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ594JCTF
- fjz594jctf
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX597JCTF
- fjx597jctf
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX597JBTF
- fjx597jbtf
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX597JHTF
- fjx597jhtf
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JCBU
- fjn598jcbu
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JCTA
- fjn598jcta
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Stand
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JBTA
- fjn598jbta
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Stand
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JBBU
- fjn598jbbu
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JATA
- fjn598jata
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN598JABU
- fjn598jabu
- Fairchild Semiconductor
- IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК