Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
BFR30LT1
- bfr30lt1
- ON Semiconductor
- TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF247A_J35Z
- bf247a.j35z
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF246B
- bf246b
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 10nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF247A
- bf247a
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP RF N-CH 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF246B_J35Z
- bf246b.j35z
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 39V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 10nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF246A
- bf246a
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF246A_J35Z
- bf246a.j35z
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CH 39V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5114-E3
- 2n5114.e3
- Vishay/Siliconix
- JFET 30V 10pA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5115
- 2n5115
- Vishay/Siliconix
- JFET 30V 10pA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5114
- 2n5114
- Vishay/Siliconix
- JFET 30V 10pA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5116
- 2n5116
- Central Semiconductor
- JFET P-Ch Junc FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N4119A
- 2n4119a
- Vishay/Siliconix
- JFET 40V 0.2mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N4118A
- 2n4118a
- Vishay/Siliconix
- JFET 40V 0.08mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK932-22-TB-E
- 2sk932.22.tb.e
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK880-BL(TE85L,F)
- 2sk880.bl.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-CH FET 1.0dB AMP AUDIO -50 VGDS 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK880-Y(TE85L,F)
- 2sk880.y.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3796-3-TL-E
- 2sk3796.3.tl.e
- ON Semiconductor
- Junction FET 30V 10mA Nch SMCP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3666-2-TB-E
- 2sk3666.2.tb.e
- ON Semiconductor
- Junction FET Nch 30V 10mA Nch CP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК