Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
EC3A04B-3-TL-H
- ec3a04b.3.tl.h
- ON Semiconductor
- JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EC3A03B-TL-H
- ec3a03b.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel JFET for Impedance Converters and Infrared Sensor Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DSK9J01P0L
- dsk9j01p0l
- Panasonic Semiconductors
- JFET Junction FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DSK5J01Q0L
- dsk5j01q0l
- Panasonic Semiconductors
- JFET Junction FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DSK5J01P0L
- dsk5j01p0l
- Panasonic Semiconductors
- JFET Junction FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR58LT1G
- bsr58lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS JFET N-CHAN 40V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR58,215
- bsr58.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 8MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR58
- bsr58
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR57,215
- bsr57.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: П
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR56
- bsr56
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP N-CHAN 40V 50MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR57
- bsr57
- Fairchild Semiconductor
- IC AMP N-CHAN 40V 20MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR56,215
- bsr56.215
- NXP Semiconductors
- JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: П
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT46,215
- bft46.215
- NXP Semiconductors
- FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR31LT1G
- bfr31lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR31LT1
- bfr31lt1
- ON Semiconductor
- TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR31,235
- bfr31.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR31,215
- bfr31.215
- NXP Semiconductors
- FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR30,235
- bfr30.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 25V 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR30LT1G
- bfr30lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR30,215
- bfr30.215
- NXP Semiconductors
- FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК