Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
2SK596S-C
- 2sk596s.c
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3320-BL(TE85L,F
- 2sk3320.bl.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2145-GR(TE85L,F
- 2sk2145.gr.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2145-Y(TE85L,F)
- 2sk2145.y.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK208-Y(TE85L,F)
- 2sk208.y.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK208-GR(TE85L,F)
- 2sk208.gr.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK208-R(TE85L,F)
- 2sk208.r.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK879-GR(TE85L,F)
- 2sk879.gr.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK879-Y(TE85L,F)
- 2sk879.y.te85l.f
- Toshiba
- JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH3910-TL-E
- cph3910.tl.e
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TF262TH-5-TL-H
- tf262th.5.tl.h
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TF262TH-4-TL-H
- tf262th.4.tl.h
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK545-11D-TB-E
- 2sk545.11d.tb.e
- ON Semiconductor
- JFET NCH J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2145-BL(TE85L,F
- 2sk2145.bl.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK880GRTE85LF
- 2sk880grte85lf
- Toshiba
- JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
JANTX2N4859
- jantx2n4859
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- N-CHANNEL J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
JANTX2N4857
- jantx2n4857
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- N-CHANNEL J-FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK596S-B
- 2sk596s.b
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- N-Channel JFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK715W
- 2sk715w
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- AM Tuner, RF Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMMBF4391LT1G
- smmbf4391lt1g
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- JFET Switching Transistors
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК