Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
2SK771-5-TB-E
- 2sk771.5.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 40V 20MA CP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3666-3-TB-E
- 2sk3666.3.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 30V 10MA CP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U441-E3
- u441.e3
- Vishay/Siliconix
- N-Kanal FELDEFFEKTTRANSISTOR METALL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U440-E3
- u440.e3
- Vishay/Siliconix
- N-Kanal FELDEFFEKTTRANSISTOR METALL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U431
- u431
- Vishay/Siliconix
- JFET Dual Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U430-E3
- u430.e3
- Vishay/Siliconix
- N-Kanal FELDEFFEKTTRANSISTOR METALL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U430
- u430
- Vishay/Siliconix
- JFET Dual Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U310-E3
- u310.e3
- Vishay/Siliconix
- N-KANAL FELDEFFEKTTRANSISTOR METALL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U290-E3
- u290.e3
- Vishay/Siliconix
- JFET 3 Ohm Switch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U1898_D27Z
- u1898.d27z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS SW N-CH 40V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U1898
- u1898
- Fairchild Semiconductor
- JFET SW N-CH 40V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U1897
- u1897
- Fairchild Semiconductor
- JFET SW N-CH 40V 30MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U441
- u441
- Vishay/Siliconix
- JFET Dual Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U440
- u440
- Vishay/Siliconix
- JFET Dual Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U291-E3
- u291.e3
- Vishay/Siliconix
- JFET 7 Ohm Switch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U291
- u291
- Vishay/Siliconix
- JFET 7 Ohm Switch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
U290
- u290
- Vishay/Siliconix
- JFET 3 Ohm Switch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS75_J35Z
- tis75.j35z
- Fairchild Semiconductor
- JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS74_J35Z
- tis74.j35z
- Fairchild Semiconductor
- JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS75
- tis75
- Fairchild Semiconductor
- JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК