Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Всего товаров: 539
MCH5908G-TL-E
- mch5908g.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Amplifi er, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH5908H-TL-E
- mch5908h.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Amplifi er, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH3914-8-TL-H
- mch3914.8.tl.h
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Amplifier, Analog Switch Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH3914-7-TL-H
- mch3914.7.tl.h
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Amplifier, Analog Switch Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3796-4-TL-E
- 2sk3796.4.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3796-2-TL-E
- 2sk3796.2.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3666-4-TB-E
- 2sk3666.4.tb.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3738-TL-E
- 2sk3738.tl.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- N-Channel Junction Silicon FET Impedance Converter Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2394-7-TB-E
- 2sk2394.7.tb.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- N-Channel Junction Silicon FET Low-Noise HF Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK932-24-TB-E
- 2sk932.24.tb.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK932-23-TB-E
- 2sk932.23.tb.e
- SANYO [Sanyo Semicon Device]
- High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ110
- mmbfj110
- FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- N-Channel Switch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TF252TH-5-TL-H
- tf252th.5.tl.h
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 20V 1MA VTFP Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.1pF @ 2V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK772E-AC
- 2sk772e.ac
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 40V 20MA SPA Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Ток нагрузки (макс): 20mA · Полярность: N-Channel · Емкость @ Vds: 9pF @ 10V · Тип монтажа: Through Hole · Мощность макcимальная: 300mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3372GUL
- 2sk3372gul
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток нагрузки (макс): 2mA · Полярность: N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P · Мощность макcимальная: 100mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3372GTL
- 2sk3372gtl
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток нагрузки (макс): 2mA · Полярность: N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P · Мощность макcимальная: 100mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3372GSL
- 2sk3372gsl
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток нагрузки (макс): 2mA · Полярность: N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P · Мощность макcимальная: 100mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3372GRL
- 2sk3372grl
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток нагрузки (макс): 2mA · Полярность: N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P · Мощность макcимальная: 100mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2593GQL
- 2sk2593gql
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Ток нагрузки (макс): 30mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK0663GRL
- 2sk0663grl
- Panasonic - SSG
- JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Ток нагрузки (макс): 30mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом (JFET) представляют собой полупроводниковые устройства, которые используют PN-переход для управления током через канал. JFET транзисторы известны своей простотой и эффективностью, обеспечивая высокую скорость переключения и низкие уровни шума. Они широко используются в различных электронных устройствах для усиления и переключения сигналов.
Применение
JFET транзисторы находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в схемах усиления для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Источники питания: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Измерительные приборы: используются в схемах с высоким входным сопротивлением для минимизации воздействия на измеряемый сигнал.
- Автомобильная электроника: применяются в различных системах управления и контроля.
Совместимость
JFET транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, JFET транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Технологические компоненты, подобные JFET-транзисторам, играют важную роль в создании и совершенствовании различных систем. Они обеспечивают стабильность и точность управления различными процессами в самых разнообразных устройствах. Эти транзисторы характеризуются высокой скоростью переключения, низким уровнем шума и высокой степенью надежности, что позволяет им эффективно функционировать в сложных условиях эксплуатации.
Благодаря своим уникальным свойствам, такие элементы помогают значительно улучшить производительность и надежность многих устройств, становясь незаменимыми в современных технологиях. Их использование способствует оптимизации энергопотребления и повышению общей эффективности систем, в которых они задействованы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК