Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDC6432SH
- fdc6432sh
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 2.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6420C
- fdc6420c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A, 2.2A · Емкость @ Vds: 324pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6401N
- fdc6401n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 324pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6333C
- fdc6333c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A, 2A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6327C
- fdc6327c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 1.9A · Емкость @ Vds: 325pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6318P
- fdc6318p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 455pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6312P
- fdc6312p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 467pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6322C
- fdc6322c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 460mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6321C
- fdc6321c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 680mA, 460mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6310P
- fdc6310p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 337pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6304P
- fdc6304p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 460mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6320C
- fdc6320c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 120mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6305N
- fdc6305n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 310pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6306P
- fdc6306p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6303N
- fdc6303n
- Fairchild Semiconductor
- IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 680mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6302P
- fdc6302p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 120mA · Емкость @ Vds: 11pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6301N
- fdc6301n
- Fairchild Semiconductor
- IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6036P
- fdc6036p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6020C_F077
- fdc6020c.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N P-CH 20V 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6020C
- fdc6020c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК