Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDMB3800N
- fdmb3800n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 465pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA2002NZ
- fdma2002nz
- Fairchild Semiconductor
- IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1032CZ
- fdma1032cz
- Fairchild Semiconductor
- IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A, 3.1A · Емкость @ Vds: 340pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1029PZ
- fdma1029pz
- Fairchild Semiconductor
- IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1023PZ
- fdma1023pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 655pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1028NZ
- fdma1028nz
- Fairchild Semiconductor
- IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 340pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1025P
- fdma1025p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1027P
- fdma1027p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 435pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM3300NZ
- fdm3300nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1610pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDM2509NZ
- fdm2509nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 8.7A 2X5MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.7A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ1028N
- fdj1028n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ1032C
- fdj1032c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A, 2.8A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDJ1027P
- fdj1027p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.8A · Емкость @ Vds: 290pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG8850NZ
- fdg8850nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 750mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG8842CZ
- fdg8842cz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 750mA, 410mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6335N
- fdg6335n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6332C
- fdg6332c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA, 600mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6320C_D87Z
- fdg6320c.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 140mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6321C
- fdg6321c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA, 410mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6322C_D87Z
- fdg6322c.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 410mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК