Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDG6322C
- fdg6322c
- Fairchild Semiconductor
- IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 410mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6320C
- fdg6320c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 140mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6318P
- fdg6318p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 83pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6318PZ
- fdg6318pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 85.4pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6314P
- fdg6314p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6306P
- fdg6306p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 0.6A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 114pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6317NZ
- fdg6317nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 66.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6316P
- fdg6316p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 0.7A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 146pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6313N
- fdg6313n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6308P
- fdg6308p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 153pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6304P_D87Z
- fdg6304p.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6304P
- fdg6304p
- Fairchild Semiconductor
- IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6303N_D87Z
- fdg6303n.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6303N
- fdg6303n
- Fairchild Semiconductor
- IC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6302P
- fdg6302p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 140mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6301N_D87Z
- fdg6301n.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6301N
- fdg6301n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD8424H
- fdd8424h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A, 6.5A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6561AN
- fdc6561an
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6506P
- fdc6506p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК