Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
DMN66D0LDW-7
- dmn66d0ldw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN601VK-7
- dmn601vk.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN601DWK-7
- dmn601dwk.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN601DMK-7
- dmn601dmk.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 225mW · Тип мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06VK-7
- dmn5l06vk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06VAK-7
- dmn5l06vak.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06DWK-7
- dmn5l06dwk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06DW-7
- dmn5l06dw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06DMK-7
- dmn5l06dmk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5010VAK-7
- dmn5010vak.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN4034SSD-13
- dmn4034ssd.13
- Diodes Incorporated
- SOIC 8/M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN4027SSD-13
- dmn4027ssd.13
- Diodes Incorporated
- SOIC 8/M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN32D2LDF-7
- dmn32d2ldf.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DUAL 350MW SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 400mA · Емкость @ Vds: 39pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 280mW · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4932LSD-13
- dmg4932lsd.13
- Diodes Incorporated
- SOIC 8/ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG4800LSD-13
- dmg4800lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.56nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8.54A · Емкость @ Vds: 798pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3033LSD-13
- dmn3033lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A · Емкость @ Vds: 725pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3024LSD-13
- dmn3024lsd.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN26D0UDJ-7
- dmn26d0udj.7
- Diodes Inc.
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности DUAL N-CH 20V 0.23A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2215UDM-7
- dmn2215udm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 188pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2040LTS-13
- dmn2040lts.13
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Емкость @ Vds: 570pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК