Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
DMC2400UV-7
- dmc2400uv.7
- DiodesIncorporated
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2038LVT-7
- dmc2038lvt.7
- Diodes Incorporated
- Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2004DWK-7
- dmc2004dwk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2004LPK-7
- dmc2004lpk.7
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL PAIR 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 750mA, 600mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2004VK-7
- dmc2004vk.7
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL PAIR SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 670mA, 530mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9956T
- di9956t
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9945T
- di9945t
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 435pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9952T
- di9952t
- Diodes Inc
- MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DI9942T
- di9942t
- Diodes Inc
- MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD75211W1723
- csd75211w1723
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD86311W1723
- csd86311w1723
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD75301W1015
- csd75301w1015
- Texas Instruments
- MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.2A · Емкость @ Vds: 195pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD75205W1015
- csd75205w1015
- Texas Instruments
- MOSFET PCH -20V -1.2A 9DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.2A · Емкость @ Vds: 265pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW297-TL-2W
- fw297.tl.2w
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS84V-7
- bss84v.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Пов
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS7904S
- bts7904s
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH DUAL 40MA TO220-5 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V, 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Емкость @ Vds: 6100pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS7904B
- bts7904b
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH DUAL 40MA TO263-5 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V, 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 121nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Емкость @ Vds: 6100pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMH2308-TL-H
- emh2308.tl.h
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- P-Channel Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК