Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
DMN2040LSD-13
- dmn2040lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 562pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2016UTS-13
- dmn2016uts.13
- Diodes Incorporated
- TSSOP 8/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2005DLP4K-7
- dmn2005dlp4k.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CH 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 350mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004VK-7
- dmn2004vk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004DMK-7
- dmn2004dmk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 225mW · Тип мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2004DWK-7
- dmn2004dwk.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG9926UDM-7
- dmg9926udm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 856pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG8822UTS-13
- dmg8822uts.13
- Diodes Inc
- MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 841pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6968UTS-13
- dmg6968uts.13
- Diodes Incorporated
- TSSOP 8/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6968UDM-7
- dmg6968udm.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6602SVT-7
- dmg6602svt.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT23 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6898LSD-13
- dmg6898lsd.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CHANNEL SOP-8L GREEN 2.5K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1026UV-7
- dmg1026uv.7
- DiodesIncorporated
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1016UDW-7
- dmg1016udw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.07A, 845mA · Емкость @ Vds: 60.67pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1023UV-7
- dmg1023uv.7
- Diodes Incorporated
- SOT563/MOSFET P-CHANNEL GREEN 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1016V-7
- dmg1016v.7
- Diodes Inc
- MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 870mA, 640mA · Емкость @ Vds: 60.67pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3021LSD-13
- dmc3021lsd.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET COMPLEMENTARY PAIR SOP-8L GREEN 2.5K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3018LSD-13
- dmc3018lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9.1A, 6A · Емкость @ Vds: 631pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3032LSD-13
- dmc3032lsd.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET COMPLEMENTARY PAIR SOP-8L GREEN 2.5K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3036LSD-13
- dmc3036lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL PAIR 2500MW 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A, 6A · Емкость @ Vds: 384pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК