Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
BSO350N03
- bso350n03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 480pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO220N03MD G
- bso220n03md.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 30V 7.7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO215C
- bso215c
- Infineon Technologies
- MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 246pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO211P
- bso211p
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 920pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO207P
- bso207p
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 1013pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO203P
- bso203p
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 2242pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO204P
- bso204p
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1513pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO200N03
- bso200n03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 1010pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO150N03MD G
- bso150n03md.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1300pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO150N03
- bso150n03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7.6A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD223P L6327
- bsd223p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 39MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD223P
- bsd223p
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL PCH 20V 390MA SOT363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC750N10ND G
- bsc750n10nd.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 720pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC150N03LD G
- bsc150n03ld.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC072N03LD G
- bsc072n03ld.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP6110SSD-13
- dmp6110ssd.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP4050SSDQ-13
- dmp4050ssdq.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 40V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2200UDW-7
- dmp2200udw.7
- DIODES [Diodes Incorporated]
- Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2200UDW-13
- dmp2200udw.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2060UFDB-7
- dmp2060ufdb.7
- DIODES [Diodes Incorporated]
- DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК