Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
BSS84DW-7-F
- bss84dw.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS84DW-7
- bss84dw.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS8402DW-7-F
- bss8402dw.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS8402DW-7
- bss8402dw.7
- Diodes Inc
- MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138DW-7-F
- bss138dw.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138DW-7
- bss138dw.7
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4804T
- bso4804t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO303P
- bso303p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 1761pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO615N G
- bso615n.g
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO615N
- bso615n
- Infineon Technologies
- MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO615CT
- bso615ct
- Infineon Technologies
- MOSFET COMPLIMENT 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO615C G
- bso615c.g
- Infineon Technologies
- MOSFET COMPLIMENT 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO612CV G
- bso612cv.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO612CV
- bso612cv
- Infineon Technologies
- MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO604NS2
- bso604ns2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4804
- bso4804
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO330N02K G
- bso330n02k.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 730pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК