Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI4559ADY-T1-GE3
- si4559ady.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4226DY-T1-GE3
- si4226dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1255pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1034X-T1-GE3
- si1034x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1029X-T1-GE3
- si1029x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA, 190mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1026X-T1-GE3
- si1026x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1024X-T1-GE3
- si1024x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1023X-T1-GE3
- si1023x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 370mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1016X-T1-GE3
- si1016x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA, 370mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS8J1TR
- qs8j1tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 2450pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS6K21TR
- qs6k21tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 Напряжение (Vdss): 45V · Ток @ 25°C: 1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD30UN,518
- pmwd30un.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1478pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD26UN,518
- pmwd26un.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 1366pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMWD20XN,118
- pmwd20xn.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10.4A · Емкость @ Vds: 740pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3156CT5G
- ntzd3156ct5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3156CT2G
- ntzd3156ct2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3156CT1G
- ntzd3156ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTUD3171PZT5G
- ntud3171pzt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 13.5pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD4150PTBG
- ntljd4150ptbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3183CZTBG
- ntljd3183cztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3183CZTAG
- ntljd3183cztag
- ON Semiconductor
- MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК