Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
US6K1TR
- us6k1tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US5K3TR
- us5k3tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 1.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA678TB-T2-A
- upa678tb.t2.a
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA679TB-T2-A
- upa679tb.t2.a
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA677TB-T1-A
- upa677tb.t1.a
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UM6K1NTN
- um6k1ntn
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: По
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UM5K1NTR
- um5k1ntr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: По
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TT8J2TR
- tt8j2tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TT8J21TR
- tt8j21tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1120DR
- tps1120dr
- Texas Instruments
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1120DG4
- tps1120dg4
- Texas Instruments
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1120D
- tps1120d
- Texas Instruments
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPIC1502DW
- tpic1502dw
- Texas Instruments
- SPINDLE MOTOR DRIVER Ток выходной: 1.5A · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 24-SOIC (7.5мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8402(TE85L,F)
- tpcp8402.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N/P-CH 30V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8208(TE12L,Q)
- tpc8208.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 20V 5A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 780pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8207(TE12L,Q)
- tpc8207.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8207(TE12L)
- tpc8207.te12l
- Toshiba
- MOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК