Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI6963BDQ-T1-E3
- si6963bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6955ADQ-T1-E3
- si6955adq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6954ADQ-T1-E3
- si6954adq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6933DQ-T1-E3
- si6933dq.t1.e3
- VISHAY
- DUAL P-KANAL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6943BDQ-T1-E3
- si6943bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6928DQ-T1-E3
- si6928dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6926ADQ-T1-E3
- si6926adq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6924AEDQ-T1-E3
- si6924aedq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL ESD 28V 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6925ADQ-T1-E3
- si6925adq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6913DQ-T1-E3
- si6913dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6562DQ-T1-E3
- si6562dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6544BDQ-T1-E3
- si6544bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A, 3.8A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5947DU-T1-E3
- si5947du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 480pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5943DU-T1-E3
- si5943du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5944DU-T1-E3
- si5944du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.28A · Емкость @ Vds: 210pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5938DU-T1-E3
- si5938du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V · Ток @ 25°C: 7.2A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5920DC-T1-E3
- si5920dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 680pF @ 4V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5935DC-T1-E3
- si5935dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5915DC-T1-E3
- si5915dc.t1.e3
- VISHAY
- Dual P-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5933DC-T1-E3
- si5933dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК