Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI4948BEY-T1-E3
- si4948bey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4953ADY-T1-E3
- si4953ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4947ADY-T1-E3
- si4947ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 30V 3.0A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4946BEY-T1-E3
- si4946bey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 840pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4944DY-T1-E3
- si4944dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4943BDY-T1-E3
- si4943bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4942DY-T1-E3
- si4942dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4941EDY-T1-E3
- si4941edy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4940DY-T1-E3
- si4940dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4936BDY-T1-E3
- si4936bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4933DY-T1-E3
- si4933dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 12V 7.4A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.4A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4925BDY-T1-E3
- si4925bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4931DY-T1-E3
- si4931dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 12V 6.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4922BDY-T1-E3
- si4922bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 2070pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4920DY-T1-E3
- si4920dy.t1.e3
- VISHAY
- Dual N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4916DY-T1-E3
- si4916dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A, 7.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9W,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4914DY-T1-E3
- si4914dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4913DY-T1-E3
- si4913dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4910DY-T1-E3
- si4910dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 855pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4908DY-T1-E3
- si4908dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A · Емкость @ Vds: 355pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК