Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI5908DC-T1-E3
- si5908dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5905DC-T1-E3
- si5905dc.t1.e3
- VISHAY
- DUAL P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5902BDC-T1-E3
- si5902bdc.t1.e3
- VISHAY
- DUAL N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5904DC-T1-E3
- si5904dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5902DC-T1-E3
- si5902dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5903DC-T1-E3
- si5903dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5515DC-T1-E3
- si5515dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.4A, 3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5517DU-T1-E3
- si5517du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V · Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5513DC-T1-E3
- si5513dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5511DC-T1-E3
- si5511dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A, 2.3A · Емкость @ Vds: 435pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5509DC-T1-E3
- si5509dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 3.9A · Емкость @ Vds: 455pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5504DC-T1-E3
- si5504dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4992EY-T1-E3
- si4992ey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4974DY-T1-E3
- si4974dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A, 4.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4973DY-T1-E3
- si4973dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4972DY-T1-E3
- si4972dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.7A, 6.4A · Емкость @ Vds: 1080pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4967DY-T1-E3
- si4967dy.t1.e3
- VISHAY
- DUAL P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4966DY-T1-E3
- si4966dy.t1.e3
- VISHAY
- DUAL N-KANAL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4965DY-T1-E3
- si4965dy.t1.e3
- VISHAY
- DUAL P-KANAL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4963BDY-T1-E3
- si4963bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК