Полевые транзисторы - Сборки, страница 93
Всего товаров: 2491
IRF9953TRPBF
- irf9953trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9953
- irf9953
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9956TR
- irf9956tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9956TRPBF
- irf9956trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9953TR
- irf9953tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9953PBF
- irf9953pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9952TR
- irf9952tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9952TRPBF
- irf9952trpbf
- International Rectifier, IR
- HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9952QTRPBF
- irf9952qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9952PBF
- irf9952pbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9952
- irf9952
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9910PBF
- irf9910pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A, 12A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9910
- irf9910
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A, 12A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9910TR
- irf9910tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A, 12A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9910TRPBF
- irf9910trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A, 12A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8915TRPBF
- irf8915trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8910TRPBF
- irf8910trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8852TRPBF
- irf8852trpbf
- Internation.Rectifer
- TSSOP 8/MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 25V, 7.8A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9362TRPBF
- irf9362trpbf
- Internation.Rectifer
- SOIC 8/DUAL MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -8.0A, 21.0 MOHM, -4.5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF9362PBF
- irf9362pbf
- GLENAIR
- SOIC 8/DUAL MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -8.0A, 21.0 MOHM, -4.5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК