Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTJD4158CT2G
- ntjd4158ct2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V/20V .88A SC88-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA, 880mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4102PT3G
- nthd4102pt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD4161PT1G
- ntgd4161pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 281pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD3133PT1G
- ntgd3133pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.6A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM78E2B0LBF
- mtm78e2b0lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH DL 20V WSMINI8-F1-B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 2A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF3N04HDR2
- mmdf3n04hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 32V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF3N04HDR2G
- mmdf3n04hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 32V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2P02ER2G
- mmdf2p02er2g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 475pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2P02HDR2
- mmdf2p02hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 588pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2P02HDR2G
- mmdf2p02hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 588pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2N02ER2G
- mmdf2n02er2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 532pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2C03HDR2
- mmdf2c03hdr2
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3A · Емкость @ Vds: 630pF @ 24V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2C03HDR2G
- mmdf2c03hdr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3A · Емкость @ Vds: 630pF @ 24V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF2N02ER2
- mmdf2n02er2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 532pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF1N05ER2
- mmdf1n05er2
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMDF1N05ER2G
- mmdf1n05er2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6613-TL-E
- mch6613.tl.e
- GLENAIR
- SOT26/
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6604-TL-E
- mch6604.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6601-TL-E
- mch6601.tl.e
- ON Semiconductor
- P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК