Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF9358PBF
- irf9358pbf
- Internation.Rectifer
- SO8/MOSFET, DUAL P-CHANNEL, -30V, -9.2A, 16.3 MOHM, -4.5V CA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8915TR
- irf8915tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8915PBF
- irf8915pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8915
- irf8915
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8910PBF
- irf8910pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8513TRPBF
- irf8513trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A, 11A · Емкость @ Vds: 766pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8513PBF
- irf8513pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A, 11A · Емкость @ Vds: 766pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8313TRPBF
- irf8313trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.7A · Емкость @ Vds: 760pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8313PBF
- irf8313pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.7A · Емкость @ Vds: 760pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7910TRPBF
- irf7910trpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1730pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7910PBF
- irf7910pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1730pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7907TRPBF
- irf7907trpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.1A, 11A · Емкость @ Vds: 850pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7907PBF
- irf7907pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.1A, 11A · Емкость @ Vds: 850pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7905TRPBF
- irf7905trpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A, 8.9A · Емкость @ Vds: 600pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7904TRPBF
- irf7904trpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 30V 7.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A, 11A · Емкость @ Vds: 910pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7902PBF
- irf7902pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A, 9.7A · Емкость @ Vds: 580pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7902TRPBF
- irf7902trpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A, 9.7A · Емкость @ Vds: 580pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7905PBF
- irf7905pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A, 8.9A · Емкость @ Vds: 600pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7904PBF
- irf7904pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A, 11A · Емкость @ Vds: 910pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7901D1TR
- irf7901d1tr
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 780pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК