Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Сборки, страница 94

Всего товаров: 2491

IRF9358PBF

  • irf9358pbf
  • Internation.Rectifer
  • SO8/MOSFET, DUAL P-CHANNEL, -30V, -9.2A, 16.3 MOHM, -4.5V CA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8915TR

  • irf8915tr
  • International Rectifier
  • MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8915PBF

  • irf8915pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8915

  • irf8915
  • International Rectifier
  • MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8910PBF

  • irf8910pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8513TRPBF

  • irf8513trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A, 11A · Емкость @ Vds: 766pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8513PBF

  • irf8513pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A, 11A · Емкость @ Vds: 766pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8313TRPBF

  • irf8313trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.7A · Емкость @ Vds: 760pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF8313PBF

  • irf8313pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.7A · Емкость @ Vds: 760pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7910TRPBF

  • irf7910trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1730pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7910PBF

  • irf7910pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1730pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Leve

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7907TRPBF

  • irf7907trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.1A, 11A · Емкость @ Vds: 850pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7907PBF

  • irf7907pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.1A, 11A · Емкость @ Vds: 850pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7905TRPBF

  • irf7905trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A, 8.9A · Емкость @ Vds: 600pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7904TRPBF

  • irf7904trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 30V 7.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A, 11A · Емкость @ Vds: 910pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7902PBF

  • irf7902pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A, 9.7A · Емкость @ Vds: 580pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7902TRPBF

  • irf7902trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A, 9.7A · Емкость @ Vds: 580pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7905PBF

  • irf7905pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A, 8.9A · Емкость @ Vds: 600pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7904PBF

  • irf7904pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A, 11A · Емкость @ Vds: 910pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF7901D1TR

  • irf7901d1tr
  • International Rectifier
  • MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 780pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь