Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF7751GTRPBF
- irf7751gtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7750TR
- irf7750tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7750TRPBF
- irf7750trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7750
- irf7750
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7555TR
- irf7555tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7555TRPBF
- irf7555trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7530TRPBF
- irf7530trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH DUAL 20V 5.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7530TR
- irf7530tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7509TR
- irf7509tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 2A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7509TRPBF
- irf7509trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N/P-CH 30V MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7507TRPBF
- irf7507trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7507TR
- irf7507tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7506TRPBF
- irf7506trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7504TRPBF
- irf7504trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET P-CH DUAL 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 240pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7504TR
- irf7504tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 240pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7506TR
- irf7506tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7503TRPBF
- irf7503trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7503TR
- irf7503tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7501TRPBF
- irf7501trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7501TR
- irf7501tr
- International Rectifier
- MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК