Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF7389TRPBF
- irf7389trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7389TR
- irf7389tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7389
- irf7389
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7380TRPBF
- irf7380trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 660pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7389PBF
- irf7389pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7380PBF
- irf7380pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 660pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7380QTRPBF
- irf7380qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 80V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 660pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7379TRPBF
- irf7379trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7379TR
- irf7379tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7379PBF
- irf7379pbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7379
- irf7379
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7379QTRPBF
- irf7379qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7351TRPBF
- irf7351trpbf
- Internation.Rectifer
- SOIC 8/60V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7351PBF
- irf7351pbf
- Internation.Rectifer
- SOIC 8/60V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7350TRPBF
- irf7350trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.1A, 1.5A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7350PBF
- irf7350pbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 100V 1.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.1A, 1.5A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7343TRPBF
- irf7343trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A, 3.4A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7343QTRPBF
- irf7343qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A, 3.4A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7343PBF
- irf7343pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A, 3.4A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7342TRPBF
- irf7342trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК