Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF7325PBF
- irf7325pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7325TRPBF
- irf7325trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7325TR
- irf7325tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7325
- irf7325
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7324PBF
- irf7324pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7324
- irf7324
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7319TRPBF
- irf7319trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A, 4.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7319PBF
- irf7319pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A, 4.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7317PBF
- irf7317pbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A, 5.3A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7317TRPBF
- irf7317trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A, 5.3A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7316TR
- irf7316tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7316TRPBF
- irf7316trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7316QTRPBF
- irf7316qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET DUAL P-CH 30V4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7316PBF
- irf7316pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7314TRPBF
- irf7314trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7314QTRPBF
- irf7314qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET HEX P-CH DUAL 20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 913pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7314PBF
- irf7314pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7313TRPBF
- irf7313trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7313QTRPBF
- irf7313qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET HEX N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7313PBF
- irf7313pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК