Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF7303PBF
- irf7303pbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7301TRPBF
- irf7301trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7301PBF
- irf7301pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7105QTRPBF
- irf7105qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 330pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7105TRPBF
- irf7105trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 330pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7104PBF
- irf7104pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7104TRPBF
- irf7104trpbf
- International Rectifier
- HEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7105PBF
- irf7105pbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 330pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7103TRPBF
- irf7103trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7103QTRPBF
- irf7103qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 255pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7103Q
- irf7103q
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 255pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7103PBF
- irf7103pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7101TRPBF
- irf7101trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7101PBF
- irf7101pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF6156
- irf6156
- International Rectifier
- MOSFET BI-DIR 20V 6.5A FLIP-FET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 950pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5852TRPBF
- irf5852trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5852TR
- irf5852tr
- International Rectifier
- MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5851TRPBF
- irf5851trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5851TR
- irf5851tr
- International Rectifier
- MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5850TR
- irf5850tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК